Effect of post-growth annealing treatment on interfacial misfit GaSb/GaAs heterostructures

M. Aziz, A. Mesli, J. F. Felix, D. Jameel, N. Al Saqri, D. Taylor, M. Henini*

*المؤلف المقابل لهذا العمل

نتاج البحث: المساهمة في مجلةمقالمراجعة النظراء

3 اقتباسات (Scopus)

ملخص

Post-growth annealing treatments in the range 400-600 °C are performed on GaSb/GaAs Interfacial Misfit grown samples. Current density-voltage (J-V), Capacitance-voltage (C-V), capacitance-frequency (C-F) and Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) measurements are performed on as-grown and annealed samples. Our studies show that possible defect compensation is observed with the annealing treatments, resulting in a significant improvement in the performances of the devices.

اللغة الأصليةEnglish
الصفحات (من إلى)5-10
عدد الصفحات6
دوريةJournal of Crystal Growth
مستوى الصوت424
المعرِّفات الرقمية للأشياء
حالة النشرPublished - مايو 17 2015
منشور خارجيًانعم

ASJC Scopus subject areas

  • ???subjectarea.asjc.3100.3104???
  • ???subjectarea.asjc.1600.1604???
  • ???subjectarea.asjc.2500.2505???

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “Effect of post-growth annealing treatment on interfacial misfit GaSb/GaAs heterostructures'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا